Опубликовано Оставить комментарий

Kingston Technology KVR533D2N4/512: обзор и опыт эксплуатации модулей оперативной памяти

Kingston Technology KVR533D2N4/512

Примечание: некоторая информация является вольным переводом на русский язык

Два модуля оперативной памяти Kingston Technology KVR533D2N4/512 были комплектующими в составе готового системного блока AGENT 6400/200 и относятся к серии ValueRAM.

ValueRAM Kingston – это модули памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston. Память ValueRAM – разумный выбор.

— страница модуля памяти KVR533D2N4/512 на официальном сайте Kingston Technology Corporation

Технические характеристики:

  • Форм-фактор модуля памяти: 240-контактный DIMM
  • Тип оперативной памяти: DDR2
  • Объём модуля памяти: 512Мб
  • Эффективная частота: 533МГц
  • Поддержка ECC: нет
  • Буферизованная память: нет
  • CAS-латентность: CL4
  • Напряжение: 1.8В
  • Чипы памяти: Kingston, 8 x 64Мб
  • Тайминги: 4-4-4-12
  • Срок эксплуатации: 13 лет

ОПИСАНИЕ:

Этот документ описывает модуль памяти ValueRAM’s 64M x 64-бит (512Mб) DDR2-533 CL4 SDRAM (синхронный DRAM). Компоненты этого модуля включают в себя восемь 64M x 8-битных (16M x 8-битных x 4 банки) DDR2-533 SDRAM в пакетах FBGA. Этот 240-контактный DIMM использует золотые контактные штифты и требует +1,8В. Электрические и механические характеристики следующие:

ОСОБЕННОСТИ:

• Время тактового цикла (tCK): 3.75нс (мин.) / 8нс (макс.)
• Время цикла строки (tRC): 55нс (мин.)
• Обновление до активности/Обновление время команды (tRFC): 105нс
• Время активной строки (tRAS): 40нс (мин.) / 70000нс (макс.)
• Одиночный источник питания: +1.8В (+- .1В)
• Мощность (IDD0): 1.440Вт (рабочая)
• Сертификация UL: 94 V-0

— PDF-файл «Характеристики модуля памяти KVR533D2N4/512«

Внешний вид

AKMK08A0625
Kingston Technology KVR
99U5260-001.A01LF KVR533D2N4/512
2508851-1083215 1.8В
Собрано в Китае (2)
Гарантия аннулируется при удалении наклейки

Модуль оперативной памяти Kingston Technology KVR533D2N4/512
Снято на Honor Play 7A
Модуль оперативной памяти Kingston Technology KVR533D2N4/512 (2)
Снято на Honor Play 7A

Kingston
S50141
0641 S03
D6408TEBGGL37U
U636H8GA9C9T

Чип памяти модуля оперативной памяти Kingston Technology KVR533D2N4/512
Снято на Honor Play 7A

AKMK08A0625
Kingston Technology KVR
99U5260-001.A01LF KVR533D2N4/512
2508851-1529708 1.8В
Собрано в Китае (2)
Гарантия аннулируется при удалении наклейки

Модуль оперативной памяти Kingston Technology KVR533D2N4/512 (3)
Снято на Honor Play 7A
Модуль оперативной памяти Kingston Technology KVR533D2N4/512 (4)
Снято на Honor Play 7A

Kingston
S49825
0641 S03
D6408TEBGGL37U
U637H8GA9C3X

Чип памяти модуля оперативной памяти Kingston Technology KVR533D2N4/512 (2)
Снято на Honor Play 7A

Информация из программы AIDA64

Свойства модуля памяти
• Имя модуля: Kingston
• Серийный номер: *
• Дата выпуска: Неделя 30 / 2006
• Размер модуля: 512 МБ (1 rank, 4 banks)
• Тип модуля: Unbuffered DIMM
• Тип памяти: DDR2 SDRAM
• Скорость памяти: DDR2-533 (266 МГц)
• Ширина модуля: 64 bit
• Напряжение модуля: SSTL 1.8
• Метод обнаружения ошибок: Нет
• Частота регенерации: Сокращено (7.8 us), Self-Refresh

Тайминги памяти
• @ 266 МГц 5-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)
• @ 266 Мгц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)
• @ 200 МГц 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)

Функции модуля памяти
• Analysis Probe: Нет
• FET Switch External: Запрещено
• Weak Driver: Поддерживается

Производитель модуля памяти
• Фирма: Kingston Technology Corporation
• Информация о продукте: http://www.kingston.com/en/memory

Информация о модуле оперативной памяти Kingston Technology KVR533D2N4/512 в программе AIDA64

Работоспособность

Данные модули оперативной памяти на протяжении 12 лет работали на заводской эффективной частоте 533МГц, не вызывая никаких проблем, в следующей конфигурации компьютера:

А также их работа не вызывала проблем в другой конфигурации компьютера:

Ведь производитель указал:

Гарантия: пожизненная

— страница модуля памяти Kingston Technology KVR533D2N4/512 на официальном сайте Kingston Technology Company

Разгон

Для разгона процессора и оперативной памяти использовалась следующая конфигурация компьютера:

А также в BIOS’е материнской платы, в разделе MB Intelligent Tweaker(M.I.T.), был зафиксирован следующий параметр:

System Memory Multiplier: [2.50]

Ручной выбор частоты 667МГц оперативной памяти в BIOS'е материнской платы GIGABYTE GA-945P-S3 (rev. 1.0)
Снято на Redmi 7

В результате были достигнуты следующие стабильные параметры:

Соотношение DRAM:FSB: 10:8
Реальная частота: 368 МГц (DDR)
Эффективная частота: 737 МГц
Пропускная способность: 11789 МБ/с

Разгон модуля памяти Kingston Technology KVR533D2N4/512
Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован.