Kingston Technology KVR667D2N5/1G: обзор и опыт эксплуатации модуля оперативной памяти

Примечание: некоторая информация является вольным переводом на русский язык

Модуль оперативной памяти Kingston Technology KVR667D2N5/1G был куплен в дополнение к двум модулям оперативной памяти Kingston Technology KVR533D2N4/512 и одному модулю Kingston Technology KVR533D2N4/1G. И тоже относится к серии ValueRAM.

ValueRAM Kingston – это модули памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston. Память ValueRAM – разумный выбор.
— страница модуля памяти KVR667D2N5/1G на официальном сайте Kingston Technology Corporation

Технические характеристики:

Форм-фактор модуля памяти: 240-контактный DIMM
Тип оперативной памяти: DDR2
Объём модуля памяти: 1Гб
Эффективная частота: 667МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная память: нет
CAS-латентность: CL5
Напряжение: 1.8В
Чипы памяти: ELPIDA, 8 x 128Мб
Тайминги: 4-4-4-12
Срок эксплуатации: 11 лет

ОПИСАНИЕ:
Этот документ описывает модуль памяти ValueRAM’s 128M x 64-бит 1ГБ (1024МБ) DDR2-667 CL5 SDRAM (синхронный DRAM). Компоненты этого модуля включают в себя восемь 128M x 8-битных DDR2-667 SDRAM в пакетах FBGA. Этот 240-контактный DIMM использует золотые контактные штифты и требует +1.8В. Электрические и механические характеристики следующие:
ХАРАКТЕРИСТИКИ:
• Время тактового цикла (tCK): 3нс (мин.) / 8нс (макс.)
• Время цикла строки (tRC): 60нс (мин.)
• Обновление до активности/Обновление время команды (tRFC): 127.5нс
• Время активной строки (tRAS): 45нс (мин.) / 70000нс (макс.)
• Одиночный источник питания: +1.8В (+- .1В)
• Мощность: 1.225Вт (рабочая)
• Сертификация UL: 94 V-0
— PDF-файл «Характеристики модуля памяти KVR667D2N5/1G«

Внешний вид

BSME1620939
Kingston Technology KVR
9905429-002.A00LF KVR667D2N5/1G
4149922-1706515 1.8В
Собрано в Китае (1)
Гарантия аннулируется при удалении наклейки

Модуль оперативной памяти Kingston Technology KVR667D2N5/1G — Снято на Honor Play 7A

Модуль оперативной памяти Kingston Technology KVR667D2N5/1G (2) — Снято на Honor Play 7A

ELPIDA TWN
E5108AJBG
-8E-E
0822A9073C0

Чип памяти модуля оперативной памяти Kingston Technology KVR667D2N5/1G — Снято на Honor Play 7A

Информация из программы AIDA64

Свойства модуля памяти
• Имя модуля: Kingston 9905429-002.A00LF
• Серийный номер: *
• Дата выпуска: Неделя 7 / 2009
• Размер модуля: 1 ГБ (2 ranks, 4 banks)
• Тип модуля: Unbuffered DIMM
• Тип памяти: DDR2 SDRAM
• Скорость памяти: DDR2-667 (333 МГц)
• Ширина модуля: 64 bit
• Напряжение модуля: SSTL 1.8
• Метод обнаружения ошибок: Нет
• Частота регенерации: Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти
• @ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS)
• @ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)
• @ 200 МГц 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)
Функции модуля памяти
• Analysis Probe: Нет
• FET Switch External: Запрещено
• Weak Driver: Поддерживается
Производитель модуля памяти
• Фирма: Kingston Technology Corporation
• Информация о продукте: http://www.kingston.com/en/memory

Информация о модуле оперативной памяти Kingston Technology KVR667D2N5/1G в программе AIDA64

Работоспособность

Данный модуль оперативной памяти на протяжении 10 лет работал на пониженной эффективной частоте 533МГц, не вызывая никаких проблем, в следующей конфигурации компьютера:

Материнская плата: GIGABYTE GA-945Р-S3 (rev. 1.0)
- BIOS: F2
Процессор: Intel Core 2 Duo E6400
Кулер: Intel D60188-001
Термопаста: ARCTIC MX-4
Оперативная память: 3Гб, 533МГц
- Первый модуль: Kingston Technology KVR533D2N4/512
- Второй модуль: Kingston Technology KVR533D2N4/1G
- Третий модуль: Kingston Technology KVR533D2N4/512
- Четвёртый модуль: Kingston Technology KVR667D2N5/1G
Видеокарта: NVIDIA GeForce 7600GT
Жёсткий диск: SAMSUNG SP2004C
Блок питания: IN WIN POWER MAN IW-P430A2-0, 430Вт
Корпус: In Win S564

А также его работа не вызывала проблем в другой конфигурации компьютера:

Материнская плата: ASUS P5B-VM (rev. 1.04G)
- BIOS: 1004
Процессор: Intel Pentium Dual-Core E2180
Кулер: Intel E18764-001
Термопаста: КПТ-8
Оперативная память: 3Гб, 533 МГц
- Первый модуль: Kingston Technology KVR533D2N4/512
- Второй модуль: Kingston Technology KVR533D2N4/1G
- Третий модуль: Kingston Technology KVR533D2N4/512
- Четвёртый модуль: Kingston Technology KVR667D2N5/1G
Видеокарта: NVIDIA GeForce 7600GT
Жёсткий диск: SAMSUNG HD300LD
Блок питания: IN WIN POWER MAN IW-P430A2-0, 430Вт

Ведь производитель указал:

Гарантия: пожизненная
— страница модуля памяти Kingston Technology KVR667D2N5/1G на официальном сайте Kingston Technology Company

Разгон

Для разгона процессора и оперативной памяти использовалась следующая конфигурация компьютера:

Материнская плата: GIGABYTE GA-945Р-S3 (rev. 1.0)
- BIOS: F7c
Процессор: Intel Core 2 Duo E7200
Кулер: Intel E18764-001
Термопаста: КПТ-8
Оперативная память: 3Гб, 667МГц
- Первый модуль: Kingston Technology KVR533D2N4/512
- Второй модуль: Kingston Technology KVR533D2N4/1G
- Третий модуль: Kingston Technology KVR533D2N4/512
- Четвёртый модуль: Kingston Technology KVR667D2N5/1G
Видеокарта: NVIDIA GeForce 7600GT
Жёсткий диск: SAMSUNG HD300LD
Блок питания: IN WIN POWER MAN IW-P430A2-0, 430Вт

А также в BIOS’е материнской платы, в разделе MB Intelligent Tweaker(M.I.T.), был зафиксирован следующий параметр:

System Memory Multiplier: [2.50]

Ручной выбор частоты 667МГц оперативной памяти в BIOS'е материнской платы GIGABYTE GA-945P-S3 (rev. 1.0) — Снято на **Redmi 7**

В результате были достигнуты следующие стабильные параметры:

Соотношение DRAM:FSB: 10:8
Реальная частота: 368 МГц (DDR)
Эффективная частота: 737 МГц
Пропускная способность: 11789 МБ/с